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よくある質問
SiCエピタキシャルウェハ
パワー半導体で製品市場を拡大し、需要の高まりに応える。
事業概要
パワー半導体のキーマテリアルであるのが、SiCエピタキシャルウェハです。現在主流のシリコン製に比べて高電圧特性や大電流特性に優れ、電力損失も大幅に削減できることから、電力制御に用いるモジュールの高効率化・小型化を実現する製品として市場が拡大しています。電気自動車や鉄道車両への採用が進んでいるほか、2020年代よりパワーコントロールユニット(PCU)への本格搭載が見込まれ、今後さらなる需要拡大が期待されています。
主力製品・技術事例
エピタキシャル成長
技術
Si系・C系の原料ガスを原料にして、高温下でSiC薄膜を均一かつ低欠陥で製膜する技術を持つ。製品の信頼性に影響する基底面転位を大幅に減少することが可能に。
評価技術
デバイスメーカーへ最良の製品を納入するために、表面、膜厚、キャリア濃度や表面汚染などの検査・測定技術を保有。世界でも高い水準の品質を維持。
身近な製品を支える
レゾナック
鉄道
高電圧・大電流の変換・制御の役割を担うパワーデバイスとして「SiC」が活躍。エネルギー利用の効率化に貢献。
電気自動車
「電気自動車のインバーターの高性能化・小型化」により、省エネやバッテリー長寿命化、電気自動車の航続距離の延長を実現。
太陽光発電
DC/ACの電力変換器などに「SiC」が用いられており、変換に伴うエネルギーロスの少ない太陽光発電高効率化に貢献している。
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