MCL-HS200

ハロゲンフリー高Tg・低伝送損失・低熱膨張多層材料

製品基本情報

製品概要

  • 製品形態
    CCL
    MCL-HS200
    プリプレグ
    GH-200(Dタイプ）
  • 用途
    • 半導体パッケージ（FC-CSP, PoP, SiP）
    • 薄物モジュール基板

特長

  • パッケージ材料と高周波材料の特徴を併せ持った材料です。
  • X，Y方向の膨張係数が小さく（α1，α2）、ハロゲンフリーで優れた誘電特性を有します。（Dk 3.7, Df 0.0040@10 GHz）
  • 低誘電ガラスクロスとの組合せによりDk3.4以下、Df0.0025以下を実現します。
  • 高耐熱性を有しており、ビルドアップ構造に適しています。

一般特性

4層基板におけるそり評価結果

TEG チップ
  • チップサイズ：10 mm×10 mm
  • チップ厚み：100 µm
TEG 基板
  • 基板サイズ：14 mm×14 mm
  • L1, 4：12 µm Cu：65 ％, L2, 3：銅無し ソルダレジスト：18 µm
  • コア材厚み：45 µm
  • プリプレグ厚み45 µm

伝送損失評価結果

測定条件

  • 評価基板：ストリップライン
  • 温度及び湿度：25 ℃/60 ％RH
  • 特性インピーダンス：Approx.50Ω
  • 校正方法：TRL (Thru-Reflect-Line)
  • 導体幅 (w)：0.12～0.14 mm
  • 絶縁層厚み (b)：0.65 mm
  • 導体厚み (t)：18 µm

多層用銅張積層板

（t0.2, t0.4 mm）

試験項目 処理条件 ※3 単位 実測値 参考規格
（IPC-TM-650）
MCL-
HS200		 MCL-
HS200
(D タイプ)
ガラス
転移温度　Tg		 TMA法 A ℃ 250～270 2.2.24
DMA法 A 330～350 ‐
熱膨張係数 ※1 X（30～120 ℃） A ppm/℃ 8～10 ‐
Y（30～120 ℃） A 8～10
Z （＜Tg） A 25～35 2.2.24
（＞Tg） 140～200
はんだ耐熱性（260 ℃） A 秒 300以上 ‐
T-260（銅なし） A 分 60以上 2.4.24.1
T-288（銅なし） A 60以上
熱分解温度
（TGA法、5 ％重量減少）		 A ℃ 410~430 2.3.40
銅箔引き
はがし強さ		 12 µm A kN/m 0.5～0.7 2.4.8
18 µm A 0.6～0.8
表面粗さ (Ra) A µm 2～3 2.2.17
曲げ弾性率（たて方向） A GPa 21～26 2.4.4
比誘電率 10 GHz ※2 A ‐ 3.6～3.8 3.2～3.4 IEC-62810
誘電正接 10 GHz ※2 A ‐ 0.0035～0.0045 0.0020～0.0030
体積抵抗率 C-96/20/65+C-96/40/90 Ω･cm 1×1014～1×1016 2.5.17
表面抵抗 C-96/20/65+C-96/40/90 Ω 1×1013～1×1015
絶縁抵抗 C-96/20/65 Ω 1×1014～1×1016 ‐
C-96/20/65+D-2/100 1×1013～1×1014 ‐
  • ※1 昇温速度：10 ℃/min
  • ※2 空洞共振器法によります｡
  • ※3 「処理条件の読み方」PDFを開く 参照
  • ※ 上記値は実測値であり、保証値ではありません。

一般仕様

多層用銅張積層板

品番 タイプ名 標準銅箔厚さ 呼び名（呼称） 基材厚
MCL-HS200 ‐ 3,12, µm
(LP, HVLP)		 U0.04 0.04 mm
3 µm
12 µm
18 µm
（LP, RT, HVLP）		 M0.06 0.06 mm
0.1 0.10 mm
0.2 0.20 mm
0.41 0.41 mm
(D) 3,12, µm
(LP, HVLP)		 DU0.04 0.04 mm
3 µm
12 µm
18 µm
（LP, RT, HVLP）		 DM0.06 0.06 mm
D0.1 0.10 mm
D0.2 0.20 mm
D0.41 0.41 mm