半導体・エレクトロニクス関連技術
材料設計技術
機能発現因子や物性制御因子を把握し、機能性を有する材料を設計
樹脂設計:樹脂の高次構造や物性を制御する技術
多層基板材料
多層基板材料向け樹脂設計の実例として、高弾性セグメントと低弾性セグメントの2成分系の構造制御により、高い熱安定性と低熱膨張特性を両立
粒子設計:粒子の構造や表面状態を制御する技術
半導体用研磨粒子(CMPスラリー)
半導体の研磨プロセスに使用される粒子は、ナノサイズと小粒径ながら研磨速度が速く、かつ粒度分布が精密に制御され、研磨傷の発生を大幅に抑制
複合材料設計:異なる性質の材料を組み合わせ、より高い強度や新機能を実現する技術
ダイボンディングフィルム
各反応状態での相分離構造(海/島構造)を制御し、製造プロセスでの剥離性や実装後の接着、固定の安定性を両立
化学プロセス技術
材料・素材を作る
分離精製:目的の物質や化合物を分離・精製する技術
混合分散:物質や化合物を均一に混ぜ合わせたり、分散させる技術
成膜:単層・多層の膜を形成する技術、それを加工・ハンドリングする技術
含浸コート
液状樹脂を含浸後、対向ロールにて含浸付着量と塗工面を調整
⇒含浸性・表面平滑性に優れ、基材表裏の樹脂層厚みが均一なプリプレグを提供
高純度ガス合成技術
半導体製造に使われる高純度ガス製品を自社合成
フッ素合成技術・高純度化技術
フッ素はあらゆる元素と結合しやすい原子であり、このフッ素の特徴を活かして様々な製品に応用
お客様要望の高品質を達成する半導体用高純度ガスを製造
- フッ素合成技術 2HF → F2+H2
- 蒸留/抽出/濾過
- フッ素化合物合成技術(液相/気相)
- 容器内面処理・洗浄技術
- プラント建設 量産技術
- 高感度分析技術 LC, GC, ICP-MS
エピタキシャルウェハー技術(SiC)
次世代パワー半導体材料の普及を担う量産化技術
単結晶成長・エピタキシャル成長・高精度加工・結晶欠陥制御
種結晶/基板と同じ結晶構造を引き継ぐように積層する技術。高温環境の再現性と均熱性制御による高い均質性。
結晶面を微傾斜させ、ウェハーのフラットネスを高精度に加工する技術。キラーとなる結晶欠陥を無害化する技術。
これらの技術は、お客様のSiCパワーデバイスにおける高い収率や信頼性に寄与
エネルギーアシスト記録技術(ハードディスク)
記録密度向上の障害となっているトリレンマ問題※1を解決
アシスト記録 記録時に熱・マイクロ波を照射して記録密度を高める次世代記録技術
ヘッドに搭載したレーザー素子から発生した近接場光により記録層の微小領域を加熱して記録
ヘッドに搭載したスピントルク発振素子STOから発生した高周波磁界を記録層に印加して記録
エネルギーアシスト記録方式に対応した媒体設計により、将来的に5-6Tbit/inch2の面記録密度が見込める
- ※1 トリレンマ問題:高密度記録に必要な微粒子構造、熱揺らぎ耐性、記録しやすさの3要素を同時に満たすことが困難という問題
- ※2 ニュースリリース:HDDの次世代記録技術HAMR対応HDメディアの製造技術を開発
パッケージング・ソリューション・センタ
共創の広場を運営し 材料・装置・プロセスのソリューション提案へ
パッケージング・ソリューション・センタの試作例:FO-WLP/PLP
テストビークル作製
- 再配線層作製
- RDLファースト
- ダイマウント(フェイスアップ/フェイスダウン・フリップチップ実装)
- 封止(コンプレッション/トランスファ)
材料
- 再配線材料(感光性絶縁膜)
- ドライフィルムレジスト材(ステッパー用/直描用)
- 封止材(コンプレッション用/トランスファー用)
- アンダーフィル(キャピラリアンダーフィル/モールデッド)
- ソルダーレジスト(液状/フィルム)
テストビークル デザイン
シミュレーション
パッケージング・ソリューション・センタの試作例:2.1/2.5D
テストビークル作製
- フリップチップボンディングディスペンシング
- シング
- TCボンディング
- モールディング(コンプレッション/トランスファー)
- モールディング(再配線層作成)
材料
- 先塗布アンダーフィルフィルム(非導電性)
- アンダーフィルフィルム(キャピラリアンダーフィル/モールデッドアンダーフィル)
- 封止樹脂(コンプレッション用/トランスファー用)
- パッケージ基板コア材(低CTE)
- プリプレグ(低Df)
- ソルダーレジスト(液状/フィルム)
テストビークル デザイン
シミュレーション
パッケージング・ソリューション・センタ 協業の取り組み
イノベーションの創出へむけて
各社が課題を持ちこみ次世代の半導体業界を先取りする技術を開発する
次世代の半導体技術を開発するコンソーシアム
[JOINT] : Jisso Open Innovation Network of Tops
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