PD用エピタキシャルウェハ
InGaAs系エピタキシャルウェハ
製品基本情報
製品概要
InP単結晶基板上に有機金属化学気相成長法(MOCVD)によってInGaAsP層を成長させた、受光素子の原料となるInGaAsエピタキシャルウェハです。
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受付時間 平日9時～18時（土日・祝日・当社指定の休業日を除く）
メリット
- 結晶欠陥が少ないため、デバイスにおける暗電流が低減
- お客様工程でのデバイスの製造収率が向上
- 用途に適したドーパントの選択が可能
- エピタキシャルウェハーの設計・開発時に、お客様目線での電気特性評価（Vbr）が可能
用途例
PIN（P-Intrinsic-N Photo Diode)、APD（Avalanche Photo Diode）
化合物組成
- インジウムガリウム砒素：GaInAs (InGaAs)
- インジウムガリウム砒素リン：GaInAsP (InGaAsP)
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