デバイスソリューション

InP単結晶基板上に有機金属化学気相成長法(MOCVD)によってInGaAsP層を成長させた、受光素子の原料となるInGaAsエピタキシャルウェハです。

GaAsまたはGaP結晶基板上に、液相エピタキシャル成長法を用いて発光層を成長させたLEDチップ原料用エピタキシャルウェハです。

発光層と指示基板の間に反射層を形成することにより光取り出し効率を改善した高輝度用途向けLEDチップです。

エピタキシャル成長用のGaAs基板を透明基板に貼り替えることにより、光取り出し効率を改善した高輝度LEDチップです。

幅広い用途で使用される当社の標準的なLEDです。