電子デバイス用部材

InP (インジウムリン) エピタキシャルウェハーは、気相成長法 (MOCVD) によりInP単結晶基板上のInGaAsおよびInGaAsPの多元素膜を形成します。

高品質なSiCバルクウェハーの上に、不純物濃度と厚みを精密に制御したSiC薄膜 (エピタキシャル層) を堆積したウェハーで、SiCパワー半導体の主要材料です。 SiC半導体は、優れた高電圧特性や大電流特性により、従来のシリコン半導体を凌駕する小型・低損失の半導体デバイスの実現が可能とされています。 また、機器の電力効率を劇的に向上させ、省エネデバイス技術にも寄与します。

円盤状のアルミもしくはガラス基板の上に磁気層を載せたデータ記録用メディアです。 大容量ストレージに使用されるハードディスクドライブに組み込んで使用します。ハードディスクは、超大容量が要求されるデータセンター向けビジネスにおいて高い需要があります。

GaAsまたはGaP結晶基板上に、液相エピタキシャル成長法を用いて発光層を成長させたLEDチップ原料用エピタキシャルウェハーです。

レゾナックのLEDチップは40年以上の歴史があり、様々な用途での使用実績があります。コンベンショナルな液相成長LEDから高出力ダブルジャンクションチップまで様々な製品バリエーションがあります。