電子デバイス用部材

高品質なSiCバルクウェハーの上に、不純物濃度と厚みを精密に制御したSiC薄膜(エピタキシャル層)を堆積したウェハーで、SiCパワー半導体の主要材料です。 SiC半導体は、優れた高電圧特性や大電流特性により、従来のシリコン半導体を凌駕する小型・低損失の半導体デバイスの実現が可能とされています。 また、機器の電力効率を劇的に向上させ、省エネデバイス技術にも寄与します。

円盤状のアルミもしくはガラス基板の上に磁気層を載せたデータ記録用メディアです。 大容量ストレージに使用されるハードディスクドライブに組み込んで使用します。ハードディスク（HD）は、超大容量が要求されるデータセンター向けビジネスにおいて高い需要があります。

InP単結晶基板上に有機金属化学気相成長法(MOCVD)によってInGaAsP層を成長させた、受光素子の原料となるInGaAsエピタキシャルウェハです。

GaAsまたはGaP結晶基板上に、液相エピタキシャル成長法を用いて発光層を成長させたLEDチップ原料用エピタキシャルウェハです。

発光層と指示基板の間に反射層を形成することにより光取り出し効率を改善した高輝度用途向けLEDチップです。

エピタキシャル成長用のGaAs基板を透明基板に貼り替えることにより、光取り出し効率を改善した高輝度LEDチップです。

幅広い用途で使用される当社の標準的なLEDです。