PD用エピタキシャルウェハ
InGaAs系エピタキシャルウェハ
製品基本情報
製品概要
InP単結晶基板上に有機金属化学気相成長法(MOCVD)によってInGaAsP層を成長させた、受光素子の原料となるInGaAsエピタキシャルウェハです。
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受付時間 平日9時~18時(土日・祝日・当社指定の休業日を除く)
メリット
- 結晶欠陥が少ないため、デバイスにおける暗電流が低減
- お客様工程でのデバイスの製造収率が向上
- 用途に適したドーパントの選択が可能
- エピタキシャルウェハーの設計・開発時に、お客様目線での電気特性評価(Vbr)が可能
用途例
PIN(P-Intrinsic-N Photo Diode)、APD(Avalanche Photo Diode)
化合物組成
- インジウムガリウム砒素:GaInAs (InGaAs)
- インジウムガリウム砒素リン:GaInAsP (InGaAsP)
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