InPエピタキシャルウェハー
製品基本情報
製品概要
InP (インジウムリン) エピタキシャルウェハーは、気相成長法 (MOCVD) によりInP単結晶基板上のInGaAsおよびInGaAsPの多元素膜を形成します。お客様のご要望に合わせてカスタマイズされたエピタキシャルウェハーを製造・販売しています。
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用途
- レーザーダイオード
- 光受信素子 (PIN-PD、APD)
製品特性
化合物組成
- インジウムガリウムヒ素：GaInAs (InGaAs)
- インジウムガリウムヒ素リン化物：GaInAsP (InGaAsP)
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