MCL-E-770G(R タイプ)
ハロゲンフリー高Tg・高弾性・低熱膨張多層材料
製品基本情報
製品概要
- 製品形態
- CCL
- MCL-E-770G(R タイプ)
- プリプレグ
- GEA-770G
- 用途
- 半導体パッケージ（FC-CSP, PoP, SiP）
- 薄物モジュール用
特長
- X，Y方向のCTEが極めて小さく（α1，α2）、弾性率が高いことから大幅なそり低減を可能にします。
- 低熱膨張・高密度ガラスクロスとの組合せ（RLH タイプ）によりCTE2.0 ppm/℃以下を実現します。
- GEA-770GはEPS (Embedded Passive Substrate) 構造に適しています。
一般特性
TEG4層基板におけるそり評価結果
- TEG チップ
-
- チップサイズ：7.3 mm×7.3 mm
- チップ厚み：150 µm
- アンダーフィル厚み：60 µm（CEL-C-3730-4）
- ソルダーレジスト厚み：20 µm（FZ-2700GA）
- TEG 基板
-
- 基板サイズ：14 mm×14 mm
- 基板厚み 200 µm+1024（S-HD）PPG
多層用銅張積層板
（t0.2 mm）
| 試験項目 | 処理条件 ※3 | 単位 | 実測値 | 参考規格 （IPC-TM-650） |
||
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCL-E- 770G (R タイプ) |
MCL-E- 770G (RLH タイプ) |
|||||
| ガラス転移温度 Tg | TMA法 | A | ℃ | 260～280 | 2.4.24 | |
| DMA法 | A | 300～330 | ‐ | |||
| 熱膨張係数 ※1 | X（30～100 ℃） | A | ppm/℃ | 4.0～6.0 | 1.5～2.0 | ‐ |
| Y（30～100 ℃） | 4.0～6.0 | 1.5～2.0 | ||||
| はんだ耐熱性（260 ℃） | A | 秒 | 300以上 | ‐ | ||
| T-260（銅なし） | A | 分 | 60以上 | 2.4.24.1 | ||
| T-288（銅なし） | 60以上 | |||||
| 熱分解温度（TGA法、5 ％重量減少） | A | ℃ | 430～450 | 2.3.40 | ||
| セミアディティブ工程ビルドアップ耐熱性 | 260 ℃リフロー | サイクル | 20以上 | ‐ | ||
| 銅箔引きはがし強さ | 12 µm | A | kN/m | 0.7～0.9 | 2.4.8 | |
| 18 µm | 0.8～1.0 | |||||
| 表面粗さ（Ra） | A | µm | 2～3 | 2.2.17 | ||
| 曲げ弾性率（たて方向）※4 | A | GPa | 30～32 | 34～36 | ‐ | |
| 比誘電率 | 10 GHz ※2 | A | － | 4.2～4.4 | 3.9～4.1 | - |
| 誘電正接 | 10 GHz ※2 | A | － | 0.006～0.008 | 0.006～0.008 | - |
| 体積抵抗率 | C-96/40/90 | Ω･cm | 1×1014～1×1016 | 2.5.17 | ||
| 表面抵抗 | C-96/40/90 | Ω | 1×1013～1×1015 | |||
| 絶縁抵抗 | A | Ω | 1×1014～1×1016 | ‐ | ||
| D-2/100 | 1×1012～1×1014 | ‐ | ||||
- ※1 昇温速度：10 ℃/min
- ※2 SPDR法によります｡
- ※3 「処理条件の読み方」
参照 - ※4 t0.8 mm
- ※ 測定項目により、t0.4 mmの値を記載しております。
- ※ 上記値は実測値であり、保証値ではありません。
一般仕様
多層用銅張積層板
| 品番 | タイプ名 | 標準銅箔厚さ | 呼び名（呼称） | 基材厚 |
|---|---|---|---|---|
| MCL-E-770G | （R） | 2 µm 3 µm 12 µm （LP, PF） |
T0.05 | 0.05 mm |
| U0.04 | 0.04 mm | |||
| 2 µm 3 µm 12 µm （STD, LP, PF） |
M0.06 | 0.06 mm | ||
| M0.11 | 0.10 mm | |||
| 0.2 | 0.20 mm | |||
| （RLH） | 2 µm 3 µm 12 µm 18 µm （STD, LP, PF） |
U0.04 | 0.04 mm | |
| M0.06 | 0.07 mm | |||
| 0.2 | 0.21 mm |
- ※1 STD：一般銅箔、LP：低プロファイル箔、PF：プロファイルフリー箔を示す。
- ※2 STD箔の銅箔厚さは12 µm, 18 µmです。LP箔の銅箔厚さは2 µm, 3 µm, 12 µm, 18 µmです。
- ※3 厚さは絶縁層の厚さを示します。
プリプレグ
| 品番 | タイプ名 | ガラスクロス | プリプレグ特性 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPC スタイル |
樹脂分 （％） |
成形厚さ ※1 （mm） |
||||
| GEA-770G | - | ≦0.025 | (極薄品については、 | |||
| ‐ | 0.025 | （1017N72） | 1017 | 72±2 | 0.025 | |
| 0.025 | （1017N76） | 1017 | 76±2 | 0.030 | ||
| 0.03 | （1027N72） | 1027 | 72±2 | 0.040 | ||
| 0.03 | （1027N76） | 1027 | 76±2 | 0.048 | ||
| 0.04 | （1037N72） | 1037 | 72±2 | 0.048 | ||
| （L） | 0.025 | （L1017N72） | 1017 | 72±2 | 0.025 | |
| 0.025 | （L1017N76） | 1017 | 76±2 | 0.030 | ||
| 0.03 | （L1027N72） | 1027 | 72±2 | 0.040 | ||
| 0.03 | （L1027N76） | 1027 | 76±2 | 0.048 | ||
| 0.035 | （L1024N68） | 1024 | 68±2 | 0.041 | ||
| 0.035 | （L1024N73） | 1024 | 73±2 | 0.050 | ||
| 0.04 | （L1037N72） | 1037 | 72±2 | 0.048 | ||
| 0.045 | （L1030N71） | 1030 | 71±2 | 0.058 | ||
| 参考規格（IPC-TM-650） | 2.3.16 | ‐ | ||||
- ※ 成形厚さは樹脂流れを0 ％と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。