次世代パワー半導体をリードする6インチSiC単結晶基板「2022年日経優秀製品・サービス賞 最優秀賞」を受賞

2023年01月04日
株式会社レゾナック・ホールディングス

株式会社レゾナック（社長：髙橋 秀仁）の6インチ（150mm）SiC単結晶基板が、「2022年日経優秀製品・サービス賞　最優秀賞」を受賞しました。

レゾナックはSiCパワー半導体に不可欠なSiCエピタキシャルウェハー*1(以下、SiCエピウェハー)の量産を2009年に始めました。特性均一性*2、低欠陥密度*3などの優れた品質が国内外のデバイスメーカーから高い評価を得て、当社はSiCエピウェハーで外販メーカートップの世界シェア*4を有しています。今回「2022年日経優秀製品・サービス賞　最優秀賞」を受賞した6インチSiC単結晶基板は、SiCエピウェハーの主材料です。SiCエピウェハーの品質向上や安定供給体制の構築を目的に、レゾナックは昨年、国内で初めて量産を開始*5しました。

SiCパワー半導体は、従来のシリコンウェハーを用いたパワー半導体に比べ、電力損失や熱の発生が少なく、省エネルギーに貢献するデバイスとして注目され、とくに電気自動車（EV）や再生可能エネルギー分野などの各種産業用途での需要が急拡大しています。レゾナックグループは「共創型化学会社」として、グローバル社会の持続可能な発展への貢献をめざし、エネルギー効率化を実現するSiCエピウェハーを次世代事業と位置付けて注力しています。なお、当社は2022年9月に自社製SiC単結晶基板を使用した200mm SiCエピウェハーのサンプル出荷*6を開始しております。また、さらなる高品質化に向けてグリーンイノベーション基金事業*7にて研究開発を進めております。今後も、“ベスト・イン・クラス”をモットーに、高性能で高い信頼性の製品を供給することで、SiCパワー半導体の普及に貢献していきます。

• *1　 SiC単結晶基板の表面上にエピタキシャル薄膜を成長させた半導体材料。
• *2　 ウェハーの特性を決める窒素のドープ（添加）が均一にできているということ。SiCパワー半導体はSiCに窒素をドープして製造するが、高電圧用途に用いるにはドープ量を少なくかつ薄く均一にする技術が求められる。
• *3　 1cm2あたり何個の欠陥があるかで判断される。欠陥が存在するとそこから電流が流れてしまいデバイスとして使用できなくなるが、大電流化に対応してSiCチップは大型化するため、デバイスの歩留まり向上には欠陥密度を下げる必要がある。
• *4　 当社推定
• *5　 2022年3月28日 昭和電工発表「SiCパワー半導体向け6インチ単結晶基板の量産を開始」
• *6　 2022年9月7日 昭和電工発表「200mm SiCエピウェハーのサンプル出荷を開始」
• *7　 グリーンイノベーション基金（GI基金）：2050年カーボンニュートラルの実現に向け、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）に造成された基金。当社は2030年までにSiCエピウェハーとその原材料であるSiCウェハーを200mmかつ欠陥密度を1桁以上低減することを目標に、次世代デジタルインフラの構築プロジェクトの研究開発項目の一つである「次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発」において、「次世代グリーンパワー半導体に用いるSiCウェハ技術開発」として研究開発を実施しています。

以上