基板材料

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用途 品名 特長 Tg
(TMA)
CTE(x, y) CTE(z) Dk
(10 GHz)
Df
(10 GHz)
CCL プリプレグ
半導体パッケージ NEW MCL-E-795G 超低熱膨張・高弾性パッケージ基板材料 260~290 3~5 10~15 4.2~4.4 0.006~0.008 ×
半導体パッケージ MCL-E-770G(R タイプ) 低熱膨張・高弾性パッケージ基板材料
薄型モジュールに人気
260~280 4~6 4.2~4.4 0.006~0.008 ×
半導体パッケージ STANDARD MCL-E-705G 低熱膨張・高弾性パッケージ基板材料 250~270 5~7 10~15 4.4~4.6 0.009~0.011 ×
半導体パッケージ MCL-E-700G(R タイプ) 低熱膨張・高弾性パッケージ基板材料 250~270 8~10 15~25 4.6~4.8 0.008~0.010 ×
半導体パッケージ MCL-E-679FG 低熱膨張・高弾性パッケージ基板材料 165~175 13~15 23~33 4.5~4.7 0.018~0.020 ×
半導体パッケージ GEA-705G 極薄対応・低熱膨張・高弾性パッケージ基板用プリプレグ 250~270 8~10 × ×
半導体パッケージ GEA-770G 極薄対応・低熱膨張・高弾性パッケージ基板用プリプレグ 260~280 6~7 × ×
半導体パッケージ ICTインフラ アンテナ MCL-HS200 低伝送損失・低熱膨張パッケージ基板材料 220~240 8~10 25~35 3.2~3.4 0.0020~0.0030 ×
半導体パッケージ ICTインフラ アンテナ MCL-HS100 低伝送損失・低熱膨張パッケージ基板材料 240~260 6~8 20~30 3.5~3.7 0.0025~0.0035 ×
半導体パッケージ ICTインフラ アンテナ GH-200(D タイプ) 極薄対応・低伝送損失・低熱膨張パッケージ基板用プリプレグ 220~240 8~10 0.0020~0.0030 × ×
半導体パッケージ ICTインフラ アンテナ GH-100(D タイプ) 極薄対応・低伝送損失・低熱膨張パッケージ基板用プリプレグ 240~260 6~8 0.0025~0.0035 × ×
ICTインフラ MCL-LW-900G/910G 低伝送損失・高耐熱多層基板材料 190~210 11~13
(Pull)
35~45 3.2~3.4 0.0020~0.0030 ×
ICTインフラ MCL-E-78G 低誘電率基板材料
ハイブリッド構造対応
160~170 13~17 35~45 3.3~3.5 0.012~0.014 ×
ICTインフラ MCL-HE-679G(S タイプ) 低誘電率・高耐熱多層基板材料 180~190 12~17 30~40 3.6~3.8 0.007~0.009 ×
ICTインフラ アンテナ AS-400HS 低伝送損失樹脂フィルム・樹脂付き銅箔
テフロン基板との組合せに対応
190~250 80~110 20~45 2.9~3.1 0.0020~0.0030 × ×
半導体パッケージ PF-EL 微細配線形成用樹脂付き銅箔 155~160 70~75 70~75 3.0~3.2 0.020~0.022 × ×
車載 TD-002 低弾性・はんだクラック対策プリプレグ 155~170 6~9 80~130 3.6~3.8 0.011~0.013 × ×
ICTインフラ MCL-I-671 高耐熱ポリイミド多層材料
ノーフロープリプレグ有
200~215 12~15 50~80 4.1~4.3 0.0130~0.0150 ×
  • 測定条件:Tg (DMA)、Dk, Df @ 1 GHz。
  • CCL: 銅張積層板