MCF-200HS
低伝送損失・低熱膨張接着フィルム
製品基本情報
製品概要
- 製品形態
- 銅箔付き接着フィルム
- MCF-200HS
- 用途
- 半導体パッケージ (FC-CSP,PoP,SiP)
- 薄物モジュール基板
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特長
- 絶縁層15 μm以下が達成可能なフィルム材料(銅箔付き接着フィルム)です。
- MCF-200HSは優れた誘電特性を示し、絶縁層厚の薄型化、低伝送損失化に貢献します。
- 優れた層間絶縁性を示します。
一般特性
層間絶縁性
- サンプル: MCF-200HS 絶縁層厚 20 μm
- 前処理条件: JEDEC Level 2 (60℃/60%RH 120 hr + 260℃ reflow 6 cycle)
- 試験条件: 130℃/85%RH, 6 V
誘電特性評価結果 (周波数依存性)
- サンプル:MCF-200HS 絶縁層厚: 20 μm
- 測定方法:
5～20 GHz：SPDR
36～60 GHz：遮断円筒導波管法
銅箔付き接着フィルム
| 試験項目 | 処理条件※3 | 単位 | 実測値 | 参考規格 (IPC-TM-650) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCF-200HS | ||||||
| ガラス転移温度 Tg | DMA法 | A | ℃ | 250～270 | ‐ | |
| 熱膨張係数 ※1 | X(30～120℃) | A | ppm/℃ | 35～40 | - | |
| Y(30～120℃) | 35～40 | |||||
| はんだ耐熱性(260℃) | A | 秒 | 300以上 | ‐ | ||
| 銅箔引きはがし強さ | 3 μm | A | kN/m | 0.5～0.7 | 2.4.8 | |
| 12 μm (LP) | 0.5～0.7 | |||||
| 引張り弾性率 | A | GPa | 5～7 | ‐ | ||
| 比誘電率 | 10 GHz ※2 | A | － | 2.9～3.1 | - | |
| 誘電正接 | 10 GHz ※2 | 0.003～0.004 | ||||
- ※1 昇温速度：10℃/min.(引張)
- ※2 測定方法：SPDR
- ※3 「処理条件の読み方」
参照 - ※上記値は実測値であり、保証値ではありません。
一般仕様
銅箔付き接着フィルム
| 品番 | 銅箔種 | 絶縁層厚み | ||
| MCF-200HS | 1.5 μm, 3 μm, 12 μm (LP) |
15 ± 2 μm | ||
| 20 ± 2 μm | ||||
| 25 ± 2 μm | ||||
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