MCF-770G(P タイプ)
プライマー付き 低熱膨張接着フィルム
製品基本情報
製品概要
- 製品形態
- 銅箔付き接着フィルム
- MCF-770G(P タイプ)
- 用途
- 半導体パッケージ (FC-CSP,PoP,SiP)
- 薄物モジュール基板
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特長
- 絶縁層15 μm以下が達成可能なフィルム材料(銅箔付き接着フィルム)です。
- CTEが低く弾性率が高いため、極薄基材においてもそり特性に優れます。
- 銅との接着性に優れ、セミアディティブプロセスにより微細配線形成が可能です。
- 優れた層間絶縁性を示します。
一般仕様
銅箔付き接着フィルム
| 品番 | 銅箔種 | 接着層厚み | 絶縁層厚み |
|---|---|---|---|
| MCF-770G(P タイプ) |
1.5 μm, 3 μm, 12 μm (VLP) |
2 μm | 15 ± 2 μm |
| 20± 2 μm | |||
| 25 ± 2 μm |
一般特性
製品構成
微細配線形成性 (セミアディティブ法)
- 設計仕様: L/S = 10/10 μm MCF-770G(P タイプ)使用
層間絶縁性
- サンプル: MCF-770G(P タイプ) 絶縁層厚25 μm
- 前処理条件: JEDEC Level 2 (60 ℃/60 %RH 120 hr + 260 ℃ reflow 6 cycle)
- 試験条件: 130 ℃/85 %RH, 6 V
一般特性
| 試験項目 | 処理条件※3 | 単位 | 実測値 | 参考規格 (IPC-TM-650) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCF-770G(P タイプ) | ||||||
| ガラス転移温度 Tg | DMA法 | A | ℃ | 290～310 | ‐ | |
| 熱膨張係数 ※1 | X(30～120 ℃) | A | ppm/℃ | 18～20 | - | |
| Y(30～120 ℃) | 18～20 | |||||
| はんだ耐熱性(260 ℃) | A | 秒 | 300以上 | ‐ | ||
| 銅箔引きはがし強さ | 3 μm | A | kN/m | 0.9～1.0 | 2.4.8 | |
| 12 μm (VLP) | 0.9～1.0 | |||||
| 引張り弾性率 | A | GPa | 8～10 | ‐ | ||
| 比誘電率 | 10 GHz ※2 | A | － | 3.2～3.3 | - | |
| 誘電正接 | 10 GHz ※2 | 0.006～0.008 | ||||
- ※1 昇温速度：10 ℃/min.
- ※2 Split post dielectric resonator (SPDR)
- ※3 「処理条件の読み方」
参照 - ※上記値は実測値であり、保証値ではありません。
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