MCF-770G (P タイプ)
プライマー付き 低熱膨張接着フィルム
製品基本情報
製品概要
- 製品形態
- 銅箔付き接着フィルム
- MCF-770G (P タイプ)
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用途
- 半導体パッケージ (FC-CSP,PoP,SiP)
- 薄物モジュール基板
特長
- 絶縁層15 μm以下が達成可能なフィルム材料 (銅箔付き接着フィルム) です。
- CTEが低く弾性率が高いため、極薄基材においてもそり特性に優れます。
- 銅との接着性に優れ、セミアディティブプロセスにより微細配線形成が可能です。
- 優れた層間絶縁性を示します。
製品特性
製品構成
微細配線形成性 (セミアディティブ法)
- 設計仕様: L/S = 10/10 μm MCF-770G (P タイプ)使用
層間絶縁性
- サンプル: MCF-770G (P タイプ) 絶縁層厚25 μm
- 前処理条件: JEDEC Level 2 (60 °C/60 %RH 120 h + 260 °C reflow 6 cycle)
- 試験条件: 130 °C/85 %RH, 6 V
一般特性
| 試験項目 | 処理条件※3 | 単位 | 実測値 | 参考規格(IPC-TM-650) | |
|---|---|---|---|---|---|
| MCF-770G (P タイプ) | |||||
| ガラス転移温度 Tg | DMA法 | A | °C | 290 - 310 | ‐ |
| 熱膨張係数 ※1 | X (30 - 120 °C) | A | ppm/°C | 18 - 20 | - |
| Y (30 - 120 °C) | 18 - 20 | ||||
| はんだ耐熱性 (260 °C) | A | s | 300以上 | ‐ | |
| 銅箔引きはがし強さ | 3 μm | A | kN/m | 0.9 - 1.0 | 2.4.8 |
| 12 μm (VLP) | 0.9 - 1.0 | ||||
| 引張り弾性率 | A | GPa | 8 - 10 | ‐ | |
| 比誘電率 | 10 GHz ※2 | A | － | 3.2 - 3.3 | - |
| 誘電正接 | 10 GHz ※2 | 0.006 - 0.008 | |||
- ※1 昇温速度：10 °C/min (引張)
- ※2 測定方法：SPDR
- ※3 「処理条件の読み方」
参照 - ※上記値は実測値であり、保証値ではありません。
製品仕様
銅箔付き接着フィルム
| 品番 | 銅箔種 | 接着層厚み | 絶縁層厚み |
|---|---|---|---|
| MCF-770G(P タイプ) | 1.5, 3, 12 μm (LP) | 2 μm | 15 ± 2 μm |
| 20 ± 2 μm | |||
| 25 ± 2 μm |
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