GH-200 (D タイプ)

極薄対応・低伝送損失・低熱膨張パッケージ基板用プリプレグ

製品基本情報

製品概要

  • 製品形態
    プリプレグ
    GH-200 (Dタイプ)
     

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用途

  • 半導体パッケージ (FC-CSP, PoP, SiP)
  • 薄物モジュール基板

特長

  • パッケージ材料と高周波材料の特徴を併せ持った材料です。
  • 成形後のばらつきが小さいため、インピーダンス制御に優れます。
  • X、Y方向の熱膨張係数が小さく (α1、α2)、ハロゲンフリー材料です。
  • 低誘電ガラスクロスとの組合せにより、優れた誘電特性を有します。

製品特性

プリプレグの表面観察結果 (マイクロスコープ)

TYPE-F

従来品

成形後の表面観察結果 (シャドウモアレ)

TYPE-F

従来品

成形後の厚みばらつき

成形後の厚みばらつき

成形条件

  • GEA-705G 1010F78
  • 銅箔：3 µm
  • 温度：230 °C, 100 min
  • 昇温速度：3.0 °C/min
  • 圧力：3 MPa

測定方法

測定方法

プリプレグ成形後のうねり (GEA-705G1010F78)

TYPE-F

従来品

プリプレグ

(t0.025 mm)

試験項目 処理条件 ※3 単位 実測値 参考規格
GH-200 (D タイプ) (IPC-TM-650)
ガラス転移温度 Tg TMA法 A °C 220 - 240 2.4.24.5
DMA法 A 250 - 270 -
熱膨張係数 ※1 X (30 - 120 °C) A ppm/°C 13 - 15 2.4.24.5
Y (30 - 120 °C) 13 - 15
T260 (銅なし) A min 60以上 2.4.24.1
T288 (銅なし) 60以上
比誘電率 ※2 10 GHz A - 3.2 - 3.4 IEC-62610
誘電正接 ※2 10 GHz A - 0.0020 - 0.0040
  • ※1 昇温速度：10 °C/min (引張)
  • ※2 測定方法：空洞共振器
  • ※3 「処理条件の読み方」PDFを開く 参照
  • ※ 上記値は実測値であり、保証値ではありません。

製品仕様

プリプレグ

品番 タイプ名 ガラスクロス プリプレグ特性
IPCスタイル 樹脂分 (%) 成形厚さ ※1
GH-200 (D) 0.015 D1006F72K 1006 72±2 0.016 mm
D1006F74K 74±2 0.017 mm
D1006F76K 76±2 0.019 mm
D1006F78K 78±2 0.021 mm
0.020 D1010F72K 1010 72±2 0.019 mm
D1010F74K 74±2 0.021 mm
D1010F76K 76±2 0.023 mm
D1010F78K 78±2 0.025 mm
D1010F80K 80±2 0.028 mm
D1010F82K 82±2 0.031 mm
D1010F84K 84±2 0.035 mm
0.025 D1017F68K 1017 68±2 0.020 mm
D1017F70K 70±2 0.022 mm
D1017F72K 72±2 0.024 mm
D1017F74K 74±2 0.026 mm
D1017F76K 76±2 0.028 mm
D1017F78K 78±2 0.031 mm
D1017F80K 80±2 0.034 mm
D1017F82K 82±2 0.038 mm
D1017F84K 84±2 0.043 mm
0.030 D1027F66K 1027 66±2 0.031 mm
D1027F68K 68±2 0.033 mm
D1027F70K 70±2 0.035 mm
D1027F72K 72±2 0.038 mm
D1027F74K 74±2 0.041 mm
D1027F76K 76±2 0.045 mm
D1027F78K 78±2 0.049 mm
参考規格 (IPC-TM-650) 2.3.16 ‐
  • ※ 成形厚さは樹脂流れを0 %と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。

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