GH-100(D タイプ)、GH-200(D タイプ)
極薄対応・低伝送損失・低熱膨張パッケージ基板用プリプレグ
製品基本情報
製品概要
- 製品形態
- プリプレグ
- GH-100(D タイプ)、GH-200(Dタイプ)
- (D タイプ) : 低誘電ガラスクロス適用タイプ
- 用途
- 半導体パッケージ（FC-CSP, PoP, SiP）
- 薄物モジュール基板
特長
- パッケージ材料と高周波材料の特徴を併せ持った材料です。
- 成形後のばらつきが小さいため、インピーダンス制御に優れます。
- X、Y方向の熱膨張係数が小さく（α1、α2）、ハロゲンフリー材料です。
- 低誘電ガラスクロスとの組合せにより、優れた誘電特性を有します。
一般特性
プリプレグの表面観察結果（マイクロスコープ）
TYPE-F
従来品
成形後の表面観察結果（シャドウモアレ）
TYPE-F
従来品
成形後の厚みばらつき
- 成形条件
-
- GEA-705G 1010F78
- 銅箔：3 µm
- 温度：230 ℃ 100 分
- 昇温速度：3.0 ℃/分
- 圧力：3 MPa
プリプレグ成形後のうねり（GEA-705G1010F78）
TYPE-F
従来品
プリプレグ
| 試験項目 | 処理条件 ※3 | 単位 | 実測値 | 試験方法 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| GH-100 (D タイプ) |
GH-200 (D タイプ) |
(IPC-TM-650) | ||||
| ガラス転移温度 Tg | TMA法 | A | ℃ | 240～260 | 220～240 | 2.4.24.5 |
| DMA法 | A | 240～260 | 250～270 | - | ||
| 熱膨張係数 ※1（引張り） | X（30~120 ℃） | A | ppm/℃ | 13～15 | 14～16 | 2.4.24.5 |
| Y（30~120 ℃） | 13～15 | 14～16 | ||||
| T260（銅なし） | A | 分 | 60以上 | 60以上 | 2.4.24.1 | |
| T288（銅なし） | 60以上 | 60以上 | ||||
| 比誘電率 ※2 | 10 GHz | A | - | 3.5～3.7 | 3.2～3.4 | IEC-62610 |
| 誘電正接 ※2 | 10 GHz | A | - | 0.0030～0.0035 | 0.0025～0.0030 | |
- ※1 昇温速度：10 ℃/min
- ※2 空洞共振器によります。
- ※3 「処理条件の読み方」
参照 - ※ 上記値は実測値であり、保証値ではありません。
一般仕様
プリプレグ
| 品番 | タイプ名 | ガラスクロス | プリプレグ特性 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPCスタイル | 樹脂分（％） | 成形厚さ ※1（mm） | ||||
| GH-100 | (D) | 0.025 | 1017F71K | 1017 | 71±2 | 0.027 |
| 1017F73K | 73±2 | 0.029 | ||||
| 1017F75K | 75±2 | 0.031 | ||||
| 1017F77K | 77±2 | 0.034 | ||||
| 1017F79K | 79±2 | 0.038 | ||||
| GH-200 | (D) | 0.025 | 1017F68K | 1017 | 68±2 | 0.020 |
| 1017F70K | 70±2 | 0.022 | ||||
| 1017F72K | 72±2 | 0.024 | ||||
| 1017F74K | 74±2 | 0.026 | ||||
| 1017F76K | 76±2 | 0.028 | ||||
| 1017F78K | 78±2 | 0.031 | ||||
| 1017F80K | 80±2 | 0.034 | ||||
| 1017F82K | 82±2 | 0.038 | ||||
| 1017F84K | 84±2 | 0.043 | ||||
| 参考規格（IPC-TM-650） | 2.3.16 | ‐ | ||||
- ※ 成形厚さは樹脂流れを0％と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。