MCL-HS100
ハロゲンフリー高Tg・低伝送損失・低熱膨張多層材料
製品基本情報
製品概要
- 製品形態
- CCL
- MCL-HS100
- プリプレグ
- GH-100
- 用途
- 半導体パッケージ（FC-CSP, PoP, SiP）
- 薄物モジュール基板
特長
- パッケージ材料と高周波材料の特徴を併せ持った材料です。
- X,Y方向の熱膨張係数が小さく（α1, α2）、ハロゲンフリーで優れた誘電特性を有します。（Dk4.3, Df0.0055@10 GHz）
- 低誘電ガラスクロスとの組合せによりDk3.6以下、Df0.0035以下を実現します。
- 高耐熱性を有しており、ビルドアップ構造に適しています。
一般特性
コアレス5層基板におけるそり評価結果
- TEG チップ
-
- チップサイズ：7.3 mm×7.3 mm
- チップ厚み：150 µm TEG
- 基板
-
- 基板サイズ：14 mm×14 mm
- L1, 5：12 µm Cu100 ％, L2, 3, 4：銅無し, ソルダーレジスト無し
- プリプレグ構成
-
- GH-100(D タイプ)（1078, R.C.63 ％）×4ply
- GEA-700G（1078, R.C.66 ％）×4ply
- GEA-705G（1078, R.C.65 ％）×4ply
伝送損失評価結果
測定条件
- 評価基板：ストリップライン
- 温度及び湿度：25 ℃/60 ％RH
- 特性インピーダンス：Approx.50Ω
- 校正方法：TRL (Thru-Reflect-Line)
- 導体幅 (w)：0.12～0.14 mm
- 絶縁層厚み (b)：0.25 mm
- 導体厚み (t)：18 µm
多層用銅張積層板
| 試験項目 | 処理条件 ※3 | 単位 | 実測値 | 参考規格 （IPC-TM-650） |
|||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MCL- HS100 |
MCL- HS100 (D タイプ) |
||||||
| ガラス転移温度 Tg | TMA法 | A | ℃ | 240~260 | 2.4.24 | ||
| DMA法 | A | 240~260 | ‐ | ||||
| 熱膨張係数 ※1 | X（30～120 ℃） | A | ppm/℃ | 6~8 | ‐ | ||
| Y（30～120 ℃） | A | 6~8 | |||||
| Z | （＜Tg） | A | 20~30 | 2.2.24 | |||
| （＞Tg） | 130~180 | ||||||
| はんだ耐熱性（260 ℃） | A | 秒 | 300以上 | ‐ | |||
| T-260（銅なし） | A | 分 | 60以上 | 2.4.24.1 | |||
| T-288（銅なし） | A | 60以上 | |||||
| 熱分解温度（TGA法、5 ％重量減少） | A | ℃ | 430~450 | 2.3.40 | |||
| 銅箔引きはがし強さ | 12 µm | A | kN/m | 0.5～0.7 | 2.2.8 | ||
| 18 µm | A | 0.5～0.7 | |||||
| 表面粗さ (Ra) | A | µm | 2～3 | 2.2.17 | |||
| 曲げ弾性率（たて方向） | A | GPa | 23~28 | 2.4.4 | |||
| 比誘電率 | 10 GHz ※2 | A | ‐ | 4.2~4.4 | 3.5~3.7 | IEC-62810 | |
| 誘電正接 | 10 GHz ※2 | A | ‐ | 0.0050~0.0060 | 0.0025~0.0035 | ||
| 体積抵抗率 | C-96/40/90 | Ω･cm | 1×1014～1×1016 | 2.5.17 | |||
| 表面抵抗 | C-96/40/90 | Ω | 1×1013～1×1015 | ||||
| 絶縁抵抗 | A | Ω | 1×1014～1×1016 | ‐ | |||
| D-2/100 | 1×1013～1×1015 | ‐ | |||||
- ※1 昇温速度：10 ℃/min
- ※2 空洞共振器法によります｡
- ※3 「処理条件の読み方」
参照 - ※ 上記値は実測値であり、保証値ではありません。
一般仕様
多層用銅張積層板
| 品番 | タイプ名 | 標準銅箔厚さ | 呼び名（呼称） | 基材厚 |
|---|---|---|---|---|
| MCL-HS100 | ‐ | 3 µm 12 µm （LP, HVLP） |
U0.04 | 0.04 mm |
| 3 µm 12 µm 18 µm 35 µm （LP, RT, HVLP） |
M0.06 | 0.06 mm | ||
| 0.1 | 0.10 mm | |||
| 0.2 | 0.20 mm | |||
| 0.41 | 0.40 mm | |||
| （D） | 3 µm 12 µm （LP, HVLP） |
U0.04 | 0.04 mm | |
| 3 µm 12 µm 18 µm 35 µm （LP, RT, HVLP） |
M0.06 | 0.06 mm | ||
| 0.1 | 0.10 mm | |||
| 0.2 | 0.20 mm | |||
| 0.41 | 0.40 mm |
- ※1 LP：低プロファイル箔を示す。
- ※2 LP箔の銅箔厚さは3 µm、12 µmです。RT箔の銅箔厚さは18 µm、35 µmです。HVLP箔の銅箔厚さは12 µm、18 µm、35 µmです。
- ※3 厚さは絶縁層の厚さを示します。
プリプレグ
| 品番 | タイプ名 | ガラスクロス | プリプレグ特性 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPC スタイル |
樹脂分 （％） |
成形厚さ ※1 （mm） |
||||
| GH-100 | (D) | 0.025 | (極薄品については、
|
|||
| ‐ | 0.03 | （1027N71） | 1027 | 71±2 | 0.042 | |
| 0.05 | （1037N71） | 1037 | 71±2 | 0.050 | ||
| 0.06 | （1078N61） | 1078 | 61±2 | 0.071 | ||
| 0.1 | （2116N55） | 2116 | 55±2 | 0.130 | ||
| (D) | 0.03 | （D1027N73） | 1027 | 73±2 | 0.042 | |
| 0.05 | （D1037N74） | 1037 | 74±2 | 0.051 | ||
| 0.06 | （D1078N63） | 1078 | 63±2 | 0.071 | ||
| 0.1 | （D2116N57） | 2116 | 57±2 | 0.129 | ||
| 参考規格（IPC-TM-650） | 2.3.16 | ‐ | ||||
- ※ 成形厚さは樹脂流れを0 ％と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。