MCL-LW-990(RFD タイプ)

製品基本情報

製品概要

特長

• 当社独自の樹脂技術と低誘電率ガラスクロスの組合せにより比誘電率(Dk):3.3、誘電正接(Df):0.0020 @10 GHzを実現します。
• 平滑な銅箔との組み合わせにより、77 GHzにおいて、当社MCL-LW-910Gと比較して約30%伝送損失を改善します。
• 優れた耐熱性、接続信頼性を有しています。

一般特性

恒温恒湿環境下における長期誘電特性の安定性(Dk, Df)

測定条件

 

• 測定方法: 空洞共振器法
• エイジング試験条件：85℃/85%RH 
• 試験周波数：10 GHz

伝送損失測定結果

 

測定条件

評価基板：マイクロストリップライン

温度及び湿度: 25℃/60%RH  

特性インピーダンス：Approx.50 Ω

校正方法: TRL (Thru-Reflect-Line)

導体幅(w)：0.3 mm

絶縁層厚み(b)：0.127 mm

導体厚み(t1)：30 μm 

グランド厚み(t2)：30 μm 

使用銅箔

MCL-LW-990(RFD タイプ)： HVLP

MCL-LW-910G： HVLP

他社PTFE： 一般箔

多層用銅張積層板

（t0.8 mm）

試験項目			処理条件 ※3	単位	実測値		参考規格 （IPC-TM-650）
					MCL-LW-990(RFD)
ガラス転移温度　Tg	TMA法		A	℃	180～230		2.4.24
	DMA法		A		220～260		‐
熱膨張係数 ※1	X（30～120℃）		A	ppm/ ℃	7～10		‐
	Y（30～120℃）				7～10
	Z	（＜Tg）	A		35～55		2.4.24
		（＞Tg）	A		240～290
はんだ耐熱性（260℃）			A	秒	300以上		‐
T-260（銅なし）			A	分	60以上		2.4.24.1
T-288（銅なし）					60以上
熱分解温度（TGA法、5％重量減少）			A	℃	375～405		2.3.40
銅箔引きはがし強さ	18 µm HVLP		A	kN/m	0.4～0.6		2.4.8
曲げ弾性率（たて方向）			A	GPa	14～19		2.4.4
比誘電率	10 GHz ※2		A	－	3.1～3.3		IEC-62810
誘電正接	10 GHz ※2		A	－	0.0018～0.0028
体積抵抗率			C-96/40/90	Ω･cm	1×1014～1×1016		2.5.7
表面抵抗			C-96/40/90	Ω	1×1013～1×1015
絶縁抵抗			A	Ω	1×1013～1×1015		‐
			D-2/100		1×1012～1×1014		‐

• ※1 昇温速度：10℃/min.(圧縮法)
• ※2 測定方法：空洞共振器
• ※3 「処理条件の読み方」参照
• ※ 上記値は実測値であり、保証値ではありません。

一般仕様

多層用銅張積層板

 

品番	タイプ名	標準銅箔厚さ	呼び名（呼称）	基材厚
MCL-LW-990	(RFD)	12 µm 18 µm 35 µm （HVLP） 18 µm 35 µm 70 µm （RTF）	M0.06	0.06 mm
			M0.08	0.08 mm
			0.1	0.10 mm
			0.13	0.13 mm
			0.26	0.25 mm
			0.51	0.51 mm

• ※ 厚さは絶縁層の厚さを示します。

プリプレグ

品番	タイプ名		ガラスクロス	プリプレグ特性
			IPC スタイル	樹脂分（％）	成形厚さ ※1
GWA-990	0.05	（D1035N74）	1035	74±2	0.064 mm
	0.06	（D1078N66）	1078	67±2	0.078 mm
	0.06	（D1078N73）	1078	73±2	0.101 mm
	0.06	（D1078N75）	1078	75±2	0.112 mm
	0.08	（D3313N59）	3313	59±2	0.101 mm
参考規格（IPC-TM-650）				2.3.16	‐

• • • ※1 成形厚さは樹脂流れを0％と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。