SiC
省電力化のキーデバイスとしてますますの市場拡大が期待されているSiCパワー半導体。
当社では低欠陥、高品質の製品開発に向けて、次世代・最先端技術の開発、並びに量産技術の展開をスピディーかつタイムリーに行い、技術開発・生産能力を含めた総合力において世界No.1メーカーを目指します。
SiCの製品一覧
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高品質なSiCバルクウェハーの上に、不純物濃度と厚みを精密に制御したSiC薄膜(エピタキシャル層)を堆積したウェハーで、SiCパワー半導体の主要材料です。 SiC半導体は、優れた高電圧特性や大電流特性により、従来のシリコン半導体を凌駕する小型・低損失の半導体デバイスの実現が可能とされています。 また、機器の電力効率を劇的に向上させ、省エネデバイス技術にも寄与します。
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