SiCエピタキシャルウェハー
製品基本情報
製品概要
高品質なSiCバルクウェハーの上に、不純物濃度と厚みを精密に制御したSiC薄膜(エピタキシャル層)を堆積したウェハーで、SiCパワー半導体の主要材料です。
SiC半導体は、優れた高電圧特性や大電流特性により、従来のシリコン半導体を凌駕する小型・低損失の半導体デバイスの実現が可能とされています。
また、機器の電力効率を劇的に向上させ、省エネデバイス技術にも寄与します。
お問い合わせ
受付時間 平日9時～18時（土日・祝日・当社指定の休業日を除く）
メリット
- 低欠陥な製膜によりデバイスの歩留まりと信頼性向上
- 膜厚・ドーピング濃度の均一性によりお客様のデバイス設計の効率向上
用途
太陽光発電向けDC/ACコンバータ、EV向け高効率インバータ、鉄道・産業機器向けパワーインバータに用いられるパワー半導体デバイス
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