SiCエピタキシャルウェハー
製品基本情報
製品概要
高品質なSiCバルクウェハーの上に、不純物濃度と厚みを精密に制御したSiC薄膜 (エピタキシャル層) を堆積したウェハーで、SiCパワー半導体の主要材料です。
SiC半導体は、優れた高電圧特性や大電流特性により、従来のシリコン半導体を凌駕する小型・低損失の半導体デバイスの実現が可能とされています。また、機器の電力効率を劇的に向上させ、省エネデバイス技術にも寄与します。
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用途
- 太陽光発電向けDC/ACコンバータ
- EV向け高効率インバータ
- 鉄道・産業機器向けパワーインバータに用いられるパワー半導体デバイス
特長
- 低欠陥な製膜によりデバイスの歩留まりと信頼性向上
- 膜厚・ドーピング濃度の均一性によりお客様のデバイス設計の効率向上
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